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电子元器件详细资料 » IC[28759] » SI5908DC-T1-E3
型号:SI5908DC-T1-E3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SMD,扁平引线描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 4.4A 1206-8

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET DUAL N-CH 20V 4.4A 1206-8
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4.4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C40 毫欧 @ 4.4A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs7.5nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线
供应商设备封装1206-8 ChipFET?
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市华雄半导体(集团)有限公司王0512-67241533
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市科翼源电子有限公司朱小姐13510998172
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
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SI5908DC-T1-E3相关型号

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